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IRF6691中文资料

IRF6691图片

IRF6691外观图

  • 大小:228.86KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
  • 标准包装:4,800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:32A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.8 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:71nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:6580pF @ 10V
  • 功率 - 最大:2.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF6691TR

IRF6691供应商

更新时间:2023-01-11 09:24:13
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